横管混合IGBT选型推荐:BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
竖管混合IGBT选型推荐:BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT(硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。