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横管混合IGBT选型推荐：BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1竖管混合IGBT选型推荐：BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。[详细介绍]